光伏技術(shù)新突破：HJT引領(lǐng)未來能源革命

在近期舉行的SNEC光伏展會(huì)上，異質(zhì)結(jié)（HJT）技術(shù)成為全場焦點(diǎn)。
這項(xiàng)被稱為下一代光伏技術(shù)的創(chuàng)新成果，正在改寫太陽能行業(yè)的游戲規(guī)則。

HJT技術(shù)的核心優(yōu)勢在于其獨(dú)特的雙面發(fā)電結(jié)構(gòu)。
與傳統(tǒng)單晶硅組件相比，HJT組件雙面率普遍超過90%，這意味著背面也能有效吸收反射光，整體發(fā)電量提升顯著。
實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)顯示，相同條件下HJT組件年發(fā)電量可比PERC組件高出10-15%。

效率突破是HJT技術(shù)的另一大亮點(diǎn)。
目前量產(chǎn)線平均轉(zhuǎn)換效率已突破25%，實(shí)驗(yàn)室效率更是達(dá)到26.5%以上。
這種高效率源于其非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，能有效減少載流子復(fù)合損失。
更令人振奮的是，HJT與鈣鈦礦疊層技術(shù)的結(jié)合，讓理論效率突破30%成為可能。

溫度系數(shù)表現(xiàn)優(yōu)異是HJT的隱藏優(yōu)勢。
在高溫環(huán)境下，HJT組件功率衰減僅-0.25%/℃，遠(yuǎn)優(yōu)于常規(guī)組件的-0.35%/℃。
這意味著在熱帶地區(qū)或夏季高溫時(shí)，HJT組件能保持更穩(wěn)定的發(fā)電性能。

降本路徑的突破為HJT商業(yè)化掃清障礙。
銀漿消耗量已從300mg/片降至150mg以下，銅電鍍技術(shù)有望進(jìn)一步降低成本。
設(shè)備國產(chǎn)化推動(dòng)產(chǎn)線投資降至3億元/GW以下，量產(chǎn)成本與PERC的差距正在快速縮小。

HJT技術(shù)正在重塑光伏產(chǎn)業(yè)格局。
隨著產(chǎn)能的快速擴(kuò)張和技術(shù)的持續(xù)優(yōu)化，這項(xiàng)兼具高效率、高可靠性、低衰減率的技術(shù)，或?qū)⒊蔀楣夥袌龅男轮髁鳌?br>在碳中和目標(biāo)推動(dòng)下，HJT技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用將加速全球能源轉(zhuǎn)型進(jìn)程。